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半导体激光器的结构和工作原理分析_首页
2021-05-12 [38991]
本文摘要:半导体激光器的构造和原理剖析现以氮化镓(GaAs)激光器为例证,解读注入式同质性结激光器的原理。

半导体激光器的构造和原理剖析现以氮化镓(GaAs)激光器为例证,解读注入式同质性结激光器的原理。1.注入式同质性结激光器的起伏基本原理。因为半导体原材料自身具有相近分子结构和电子结构,故组成激光器的原理有其独特性。(1)半导体的可带构造。

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半导体原材料多是分子结构。当很多分子标准而紧密地结合成结晶时,结晶中这些价电子都处于结晶能拿着。价电子所在的可带称作价带(相匹配较低动能)。

与价带近期的高可带称作导带,可带中间的航线称之为禁带。当加外静电场时,价带中电子器件光量子到导带中去,在导带中能够支配权健身运动而起导电性具有。另外,价带中丢弃一个电子器件,则相当于经常会出现一个携带正电荷的空穴,这类空穴独自一人静电场的具有下,也可以起导电性具有。

因而,价带中空穴和导带中的电子器件都是有导电性具有,总称之为载流子。(2)掺加半导体与p-n结。没残渣的清洁半导体,称之为本征半导体。

假如在本征半导体中带有残渣分子,则在导带下和价带以上组成了残渣电子能级,各自称之为供奉电子能级和受主电子能级。有供奉电子能级的半导体称之为n型半导体;有受主电子能级的半导体称作这p型半导体。

在常温状态,能源使n型半导体的绝大多数供奉分子被离化,在其中电子器件被勾起到导带上,沦落自由电荷。而p型半导体的绝大多数受主分子则战俘了价带中的电子器件,在价带中组成空穴。因而,n型半导体关键由导带中的电子器件导电性;p型半导体关键由价带中的空穴导电性。

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半导体激光器中常用半导体原材料,掺加浓度值较小,n型残渣原子数一般为(2-5)×1018cm-1;p型为(1-3)×1019cm-1。在一块半导体原材料中,从p型区到n型区突然转变的地区称之为p-n结。其交界层处将组成一空间电荷区。

n型半导体携带中电子器件要向p区扩散,而p型半导体价带中的空穴要向n区扩散。这样一来,构造周边的n型区因为是供奉而携带正电荷,结区周边的p型区因为是受主而携带负电荷。

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在交界层处组成一个由n区偏向p区的静电场,称之为自辟静电场。此静电场不容易劝阻电子器件和空穴的以后扩散。

(3)p-n结电流量经勾起原理。若在组成了p-n拢的半导体原材料上加上反过来偏压,p区相连负级,n区相连负级。好像,反过来工作电压的静电场与p-n拢的原是电场方向忽视,它推进了原是静电场对结晶中电子器件扩散健身运动的防碍具有,使n区中的自由电荷在反过来工作电压的具有下,又源源不绝地根据p-n结向p区扩散,在结区域内另外不会有着很多导带中的电子器件和价带中的空穴时,他们将在流过区造成添充,当导带中的电子器件光量子到价带时,不必要的动能就以光的方式起飞出去。这就是半导体场致闪动的原理,这类自发添充的闪动称之为自发辐射。

使得p-n结造成激光器,必不可少在构造内组成颗粒旋转产自情况,需要用以轻掺加的半导体原材料,回绝流过p-n拢的电流量充裕大(如30000A/cm2)。那样在p-n拢的部分地区内,就能组成导带中的电子器件低于价带中空穴数的旋转产自情况,进而造成收到刺激添充电磁波辐射而接到激光器。

2.半导体激光器构造。其外观设计及尺寸与小输出功率半导体三极管类似,仅有在机壳上多一个激光器键入对话框。垫个结区的p区与n区做成片层,结区薄为几十微米,总面积大概超过毫米2。

半导体激光器的电子光学谐振器是运用与p-n结平面图相互之间横着的自然界解理(110面)包括,它有35的透射率,已不能引起激光器起伏。如要降低透射率可在晶向上镀一层二氧化硅,再作镶上一层金属银膜,可获得95%之上的透射率。一旦半导体激光器上加上反过来偏压时,在结区就再次出现颗粒数旋转而进行添充。


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